lunes, 30 de marzo de 2015

Interruptor crepuscular con MOSFET de canal N

Los transistores MOS o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) son unos transistores de unión de efecto de campo cuya puerta está aislada del canal fuente-drenador (Source-Drain), lográndose de esta forma una impedancia de entrada muy elevada, con una corriente de control totalmente despreciable. Son así unos componente ideales para controlar y amplificar grandes cargas controladas por tensión, sabiendo que sobre la tensión de control aplicada en la puerta no se exige o demanda corriente alguna.
    Al ser un MOSFET de canal N (2SK1118), hay que polarizar directamente la unión puerta-fuente, es decir, la puerta (gate) es positiva respecto al electrodo fuente (source), e inversamente los electrodos drenador (drain)-fuente (source), es decir, drenador es positivo respecto al electrodo fuente.

    Con este circuito podríamos diseñar fácilmente una lámpara que paulatinamente se fuera encendiendo y apagando en función de la luz existente. El transistor puede soportar corrientes de drenador y tensiones drenador-fuente (o surtidor) muy elevadas (6A y 600Vcc drain-source, debidamente refrigerado); así, el número de LEDs que podría controlar sería el suficiente para iluminar una superficie considerable.
    También, debido al retardo de encendido y apagado introducido por el condensador C2 y la resistencia R2, cualquier variación brusca de luz, por ejemplo, la del paso de un automóvil, no influiría en el control de la iluminación. 

    El fotodiodo BPW34 hay que polarizarlo inversamente (cátodo positivo respecto al ánodo) para que funcione correctamente. Asociando una resistencia ajustable de 1MΩ con R1 podremos ajustar mejor la sensibilidad; también variando el valor de R1 al que estimen oportuno, teniendo en cuenta que al subir su valor la sensibilidad es mayor. El retardo depende de los valores de R2 y C2, al incrementar los valores de cada uno de ellos, también aumentará el tiempo de retardo.

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